Подробное описание

Статус продукта Активен

Тип полевого транзистора N-канальный

Технология MOSFET (оксид металла)

Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В

Ток - непрерывный сток (id) @ 25°C 10,7 А (Ta), 22 А (Tc)

Напряжение привода (макс. колебаний вкл., мин. включено) 8 В, 10 В

Rds Вкл (макс.) @ Id, Vgs 11,7 мОм @ 10,7 А, 10 В

Vgs(th) (макс.) @ id 4.5V @ 250μμA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 41 нС @ 10 В

Vgs (макс.) ±20 В

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2640 пФ @ 40 В

Функция полевых транзисторов -

Рассеиваемая мощность (макс.) 2,3 Вт (Ta), 40 Вт (Tc)

Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа: поверхностный монтаж

Комплект устройств поставщика 8-MLP (3.3x3.3)

Корпус 8-PowerWDFN

Базовый номер продукта FDMC86